В России запускают первое в нашей стране производство высокочистого бромида водорода (HBr) чистотой 5N. До конца июня 2026 года разработанная и построенная в Томске установка выпустит первую промышленную партию для предприятий микроэлектроники — она начнет заменять импортные поставки этого стратегически важного для отрасли вещества из Китая. Ранее здесь создали свою технологию полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты — также для микроэлектронной отрасли.
Оборудование для выпуска российского бромида водорода высокой чистоты для микроэлектроники создали в Инжиниринговом химико-технологическом центре совместно с Томским государственным университетом. Установка находится в Томске и позволяет выпускать до 650 кг продукта в год. Первая промышленная партия составит 100 килограммов, ее отправка заказчикам состоится до конца июня 2026 года. Ранее поставки выполнялись из-за рубежа, в основном, из Китая.
Зачем нужен в микроэлектронике сверхчистый бромистый водород (HBr)? Это технологический газ для плазмохимического (RIE/ICP) травления кремния, поликремния и родственных материалов, обеспечивая высокую анизотропию и точное формирование субмикронных структур. Высокая чистота HBr критична для снижения дефектности и предотвращения паразитного загрязнения, что повышает выход годных при производстве современных интегральных схем, включая современные микросхемы, в том числе для банковских и транспортных карт.
Создание российского оборудования для выпуска высокочистого HBr было осуществлено по заказу Минпромторга РФ. Государственное финансирование проекта составило чуть более 260 миллионов рублей. Это первая в стране установка по производству высокочистого бромида водорода.
Ранее в Инжиниринговом химико-технологическом центре был выполнен еще один важный для российской микроэлектроники проект. В феврале 2026 года представители Центра сообщили о разработке отечественной технологии и организации полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты (6N5). Трибромид бора высокой чистоты в основном применяется для легирования полупроводников в микроэлектронике. Производственная мощность созданной установки составляет 24 килограмма вещества в год. Продукт будет поставляться в таре, соответствующей технологической линии потребителя. По информации специалистов ИХТЦ, создание полного цикла производства на отечественном сырье позволяет выпускать продукт, сопоставимый по цене и качеству с зарубежными аналогами, основные поставки которых ранее осуществлялись из Китая, Германии и США.
Источник фото: ИХТЦ
https://tehnoomsk.ru/archives/24086
Оценили 30 человек
50 кармы