Исследователи из России разработали алгоритм, позволяющий значительно уменьшить риск потери данных в инновационных "флешках" на базе ферроэлектриков за счет более точного предсказания того, как по мере эксплуатации этих устройств будут меняться напряжения, при которых происходит перезапись или удаление информации в данных ячейках памяти.
«Данные напряжения изменяются в течение всего срока службы ячейки памяти, и сбой чтения может произойти на последующих этапах. В этой работе мы предлагаем предсказательную модель для расчета изменения напряжений при любом сценарии работы ячейки памяти», - пояснила заведующая лабораторией перспективных концепций хранения данных МФТИ.
https://nauka.tass.ru/nauka/23810855?utm_source=yxnews&utm_medium=desktop&utm_referrer=https%3A%2F%2Fdzen.ru%2Fnews%2Fsearch
Оценили 13 человек
19 кармы