Новый вид GaN-транзисторов ТНГ-К 65020П, разработанные АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент»), подтвердили свою эффективность в силовой преобразовательной технике.
Испытания, проведенные компанией «Инженерные решения» и Новосибирским государственным техническим университетом, показали, что изделия могут использоваться в источниках питания с высокой удельной мощностью и частотой до 10 МГц.
Эксперты отметили преимущества GaN-технологии: компактные размеры, высокую частоту работы и эффективный теплоотвод. Транзисторы подходят для применения в зарядных устройствах, системах управления электродвигателями, робототехнике и космической отрасли, сообщает пресс-служба НИИЭТ.
Разработка АО «НИИЭТ» позволяет предприятиям сразу приступать к созданию электронных модулей на основе GaN, минуя дорогостоящие НИОКР. Предприятие развивает данное направление более 10 лет.
https://niiet.ru/10_07_2025/
Оценили 19 человек
31 кармы