Российский производитель микроэлектроники — группа компаний «Элемент» — инвестирует 4,4 млрд рублей в развитие мощностей по выпуску силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) на своем предприятии НИИЭТ в Воронеже. Масштабные вложения направлены на создание первого в России производства GaN-транзисторов полного цикла. Об этом стало известно в середине июля 2025 года.
Ключевым элементом проекта станет запуск кристального производства электронных компонентов на GaN, что дополнит уже существующие на НИИЭТ мощности по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов. Выбор воронежского предприятия НИИЭТ в качестве площадки обусловлен наличием у него значительных заделов и опыта в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия.
НИИЭТ является первым в России предприятием, серийно выпускающим силовые транзисторы по технологии GaN на кремнии. Направление по нитриду галлия развивается: воронежские инженеры создали ряд силовых GaN-приборов, включая нормально закрытые транзисторы с допустимым напряжением сток–исток от 100 до 650 В.
Проект реализуется с использованием льготного государственного финансирования, привлеченного через механизм кластерной инвестиционной платформы (КИП), оператором которой выступает Фонд развития промышленности (ФРП). Целью КИП является поддержка российских предприятий в реализации проектов по выпуску приоритетной продукции. Плановая мощность нового производства составит 5500 пластин в 200-мм эквиваленте в год.
Нитрид галлия обладает существенными преимуществами перед кремнием, позволяя создавать транзисторы, работающие при более высоких температурах и частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью. Создание полного цикла производства таких компонентов в Воронеже, включая критически важное кристальное производство, является значимым шагом для российской электронной промышленности.
https://tehnoomsk.ru/archives/19485
Оценили 20 человек
28 кармы