Обещание чиновников и представителей Министерства промышленности и торговли Российской Федерации медленно, но уверенно начали выполняться. После событий 2022 года Россия попала под беспрецедентное число санкций и ограничений, что привело к ряду проблем, например в сфере микроэлектроники и как пример российские бесфабричные (fabless) компании такие как "МЦСТ", "Байкал Электроникс" и т.д., лишились доступа к производственным мощностям тайваньской TSMC. Каким образом производятся российские процессоры по сей день остаётся тайной, однако представители IT индустрии и промышленности заявляли, что в России будут проведены НИОКР по созданию отечественных фотолитографических машин с топологией от 350 до 28 нм до 2030 года.
300 мм кремниевая пластина с топологией 45 нм
Обещалось, что на первых этапах будут разработаны и произведены литографы "зрелых" техпроцессов таких, как 350-180-130 нм, которые очень востребованы в автомобильной промышленности, энергетике и в ЭКБ для аппаратуры связи. Так вот буквально вчера, на конференции "ЦИПР 2024" заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации Василий Шпак, поведал представителю ТАСС, что предсерийный отечественный литограф на 350-180 нм уже проходит испытание в Зеленограде, машина способна наносить КНИ слои на 150-200 мм кремниевые пластины с разрешением до 120 нм при длине волны лазерной установки 248-193 нм, производительность до 100 пластин в час.
Специальный защитный бокс с пластинами в руке работника полупроводниковой фабрики
Предположительно отечественный литограф аналогичен по ТТХ нидерландскому ASML PAS 5500/300C, при этом машина имеет единую компоновку так как в состав входят камеры для осаждения и травления пластин. Предполагается, что в серию отечественное оборудование пойдет уже в 2025 году, но с разрешающей способностью в 350-180 нм, а в 2026 появится модификация на 130 нм и на 90 нм с переходом фабрик на новый литограф для 300 мм пластин.
Литограф для производства пластин будущих чипов и микропроцессоров
Данный тип пластин требует решений более наукоемких задач, так как используется для производства чипов на 65 нм и меньше, НИОКР по такому оборудованию уже ведутся. Для снижения себестоимости разработки оборудования, предполагается использовать технологию безмасочной EUV с длинной волны лазера 13.5 нм, это позволит получить технормы на 65-45 нм, а если получится освоить более сложную химию и метод двойного экспонирования, то велика вероятность к 2027-28 году получить заветные для России 28 нм.
a_и_т
Оценили 36 человек
42 кармы